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电子元器件详细资料 » IC[27643] » SI5504BDC-T1-GE3
型号:SI5504BDC-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线描述:MOSFET N/P-CH 30V 1206-8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4A,3.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C65 毫欧 @ 3.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds220pF @ 15V
功率_最大3.12W,3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商设备封装1206-8 ChipFET?
包装剪切带 (CT)

供应商

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SI5504BDC-T1-GE3相关型号

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